產
品
特
點

   與普通的CVD系統(tǒng)相比，因為有等離子源的介入,系統(tǒng)的沉積溫度相對較低。
配備有滑軌式管式爐可以輕松實現(xiàn)快速降溫，實現(xiàn)快速退火。   
操控界面可配備液晶操作系統(tǒng)，圖文顯示，直觀易懂，對于設備的使用操作簡單易學， 該系統(tǒng)較高工作溫度接近1150℃，能滿足大多數(shù)熱處理場合。該設備可具體用于：碳、 ZnO 納米管或納米線的制備也可以用于制備單層石墨烯以及各種CVD實驗 。   

等
離
子
發(fā)
生
器

輸出功率:          5 ～500W    ± 1% . 
射頻頻率:          13.56 MHz    ±0.005% .
反射功率:          非常大約200W 
阻抗匹配:          自動

真
空
泵
機
組

雙較旋片泵, 較限真空0.1Pa
KFD25 快接，不銹鋼波紋管，手動擋板閥與法蘭，真空泵相連.
管內真空可達1Pa,若要更高真空度可選配高真空機組。
可選：本公司進口的防腐型數(shù)字式真空顯示計，其測量范圍為  3.8x10-5 至 1125 Torr. 不需因測量氣體種類不同而需要系數(shù)轉換。（需要另外計算費用）

質量流量計

質量流量計(精度0.02% ) ：數(shù)字顯示，自動控制.
MFC 1范圍:  0~100 sccm 
MFC 2和3:    0~500 sccm  
一個混氣罐，底部裝有泄廢液口.  
進氣接口: 1/4NPS. 
出氣接口: 1/4NPS. 

水冷系統(tǒng)

水冷法蘭要求：水流量 >= 10L/M ，配有有經(jīng)驗水冷機組。

管式爐                    

爐管直徑：80mm
爐管長度：1400mm
爐膛長度：440mm
控溫精度：±1℃
工作溫度：≦1200℃