四探針電阻率測(cè)試儀導(dǎo)電材料電阻測(cè)試儀

金屬材料四探針電阻率測(cè)試儀BEST-300C

適用范圍四端測(cè)試法是目前較先進(jìn)之測(cè)試方法，主要針對(duì)高精度要求之產(chǎn)品測(cè)試；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。

本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電導(dǎo)率單位自動(dòng)選擇，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測(cè)試儀自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成圖表和報(bào)表。

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值、電阻率、方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購.

提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內(nèi)及國外客戶需求

金屬材料四探針電阻率測(cè)試儀電阻測(cè)量范圍：

電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

電阻：1×10-5～2×105Ω

電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm

分辨率：  較小1μΩ

測(cè)量誤差±5%

測(cè)量電壓量程：2mV  20mV 200mV2V

測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

電流輸出：直流電流0～1000mA連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。

量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,

誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm

顯示方式：液晶顯示

電源：220±10% 50HZ/60HZ 

標(biāo)配：測(cè)試平臺(tái)一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

金屬材料四探針電阻率測(cè)試儀

GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定.直排四探針法

GB/T 6617-2009 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法

GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法

GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直流兩探針法

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法

國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半導(dǎo)體材料、金屬材料試驗(yàn)、絕緣流體、獸醫(yī)學(xué)、復(fù)合增強(qiáng)材料、電工器件、無損檢測(cè)、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。

半導(dǎo)電材料電阻測(cè)試儀時(shí)需綜合考慮測(cè)量需求、儀器性能及使用環(huán)境等因素。以下是關(guān)鍵選擇要點(diǎn)：明確測(cè)量需求測(cè)量范圍與精度半導(dǎo)電材料（如橡塑護(hù)套、電纜接管）的電阻值通常介于 \(10^{-4} \Omega \cdot \text{cm}\) 至 \(10^8 \Omega \cdot \text{cm}\) 之間。需確保測(cè)試儀的測(cè)量范圍覆蓋實(shí)際應(yīng)用需求。例如，若需測(cè)量中高值電阻（\(10^6 \sim 10^8 \Omega\)），應(yīng)選擇量程擴(kuò)展能力強(qiáng)的儀器，并關(guān)注其誤差范圍（如2兆歐檔誤差±0.5%讀數(shù) 2字）。精度要求：高精度場(chǎng)景（如實(shí)驗(yàn)室）需選擇誤差更小的儀器，而常規(guī)檢測(cè)可適當(dāng)放寬精度要求。測(cè)試電流適配性半導(dǎo)電材料對(duì)測(cè)試電流敏感，需根據(jù)材料特性選擇電流檔位。例如，某些儀器提供1微安、0.1微安等多檔位輸出，避免電流過大導(dǎo)致材料損傷或測(cè)量失真。核心功能與技術(shù)特性四端子測(cè)量法采用四端子法可消除接觸電阻的影響，提升測(cè)量準(zhǔn)確性，尤其適用于微電阻或高阻值測(cè)量場(chǎng)景。相較傳統(tǒng)兩線法或兆歐表，四線法更適合半導(dǎo)電材料的精密檢測(cè)。環(huán)境適應(yīng)性儀器需在特定溫濕度條件下工作（如溫度23±2°C、濕度<65%），選擇時(shí)需確認(rèn)其穩(wěn)定性和抗干擾能力，避免環(huán)境波動(dòng)導(dǎo)致數(shù)據(jù)偏差。部分儀器內(nèi)置溫度補(bǔ)償功能，可減少溫度變化對(duì)電阻值的影響。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與顯示支持?jǐn)?shù)字顯示、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及導(dǎo)出功能的儀器更便于后續(xù)分析。例如，3位數(shù)字顯示屏和自動(dòng)過載提示能提升操作效率。儀器類型與便攜性1.手持式 vs 臺(tái)式手持式：適合現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè)，便攜性強(qiáng)，但可能犧牲部分精度或功能。實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)景優(yōu)先選擇，通常具備更高精度和擴(kuò)展功能（如多檔位電流調(diào)節(jié)）。若需測(cè)量特殊形狀或尺寸的樣品（如扁鋼接地體），需搭配專用取樣器（如半導(dǎo)電橡塑電阻儀取樣器）以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)測(cè)量。品牌與認(rèn)證符合行業(yè)標(biāo)選擇通過國家或國際認(rèn)證的儀器（如符合GB/T標(biāo)準(zhǔn)），確保安全性與可靠性。例如，部分儀器明確標(biāo)注符合電力行業(yè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)（如DL/T 845.4-2004）。

品牌與技術(shù)支持優(yōu)先選擇技術(shù)成熟、提供售后支持的品牌  北廣精儀儀器設(shè)備有限公司的設(shè)備提供完整的技術(shù)支持和售后服務(wù)，保障儀器的長期穩(wěn)定使用。操作與維護(hù)便利性人機(jī)交互設(shè)計(jì)直觀的菜單操作、旋轉(zhuǎn)鼠標(biāo)輸入或自動(dòng)量程切換功能可簡(jiǎn)化操作流程，減少人為誤差。耐用性與維護(hù)選擇具備堅(jiān)固外殼、防塵防水（如IP54等級(jí)）的儀器，適應(yīng)戶外或復(fù)雜工業(yè)環(huán)境。同時(shí)，關(guān)鍵部件采用進(jìn)口元件的儀器壽命更長。應(yīng)用場(chǎng)景擴(kuò)展

若需同時(shí)測(cè)量土壤電阻率或泄漏電流，可考慮多功能測(cè)試儀，但需確認(rèn)其是否兼容半導(dǎo)電材料特性�？偨Y(jié)建議明確被測(cè)材料的電阻范圍及測(cè)試環(huán)境，選擇匹配量程和精度的儀器優(yōu)先采用四端子法的設(shè)備，確保測(cè)量準(zhǔn)確性根據(jù)場(chǎng)景（現(xiàn)場(chǎng)/實(shí)驗(yàn)室）選擇便攜式或高精度臺(tái)式儀器。核查品牌資質(zhì)與售后服務(wù)，避免后續(xù)使用問題。  

例如，北廣精儀的的半導(dǎo)電電阻測(cè)試適合中高阻值測(cè)量，而需要更大電流擊穿氧化膜的場(chǎng)景可參考回路電阻測(cè)試儀的選型思路（如連續(xù)可調(diào)電流設(shè)計(jì)）。

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在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、金屬物理性能試驗(yàn)方法、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導(dǎo)體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導(dǎo)體材料、金屬無損檢驗(yàn)方法。

范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測(cè)薄層相反。適用于測(cè)量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測(cè)量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量，但其測(cè)量較好度尚未評(píng)估。

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的較新版本。凡是不注日期的引用文件，其較新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 GB/T 1552 硅、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定 直排四探針法

GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法提要

使用直排四探針測(cè)量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測(cè)量兩內(nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計(jì)算出薄層電阻。

干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點(diǎn)電流源注人條件會(huì)影響測(cè)試精度。 

電壓表輸入阻抗會(huì)引入測(cè)試誤差。 硅片幾何形狀，表面粘污等會(huì)影響測(cè)試結(jié)果。

光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場(chǎng)及溫醒度等測(cè)試環(huán)境會(huì)影響測(cè)試結(jié)果，試劑優(yōu)級(jí)純，純水，25 ℃時(shí)電阻率大于 2 MN·cm。 99.5%。 干燥氮?dú)�。測(cè)量儀器探針系統(tǒng)操針為具有45"～150°角的圓罐形破化鴨振針，針實(shí)半徑分別為35 μm~100μm.100 μm~250 μm 的半球形或半徑為 50 μm~125 μm 的平的圓截面。探針與試樣壓力分為小于0.3 N及0.3 N~0.8N兩種。

探針（帶有彈簧及外引線）之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω. 探針排列和間距，四探針應(yīng)以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合 GB/T 552中的規(guī)定。

樣品臺(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合 GB/T152 中的規(guī)定。 樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn) 360"的裝置。其誤差不大于士5"，測(cè)量裝置測(cè)量裝置的典型電路叉圖1，

恒意源，按表1的推薦值提供試樣所需的電流，精度為±0.5%.電流換向開關(guān)

標(biāo)準(zhǔn)電阻;按表2的薄層電阻范圍選取所需的標(biāo)準(zhǔn)電，精度0.05 級(jí)雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。

電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表，量程為1mV~100mV，分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小

于10*0.電子測(cè)量裝置適用性應(yīng)符合GB/T 1552 的規(guī)定。 歐嬌表，能指示阻值高達(dá) 10°日 的漏電阻. 溫度針o℃～40 ℃，較小刻度為0.1 ℃。

化學(xué)實(shí)驗(yàn)室器具，如;塑料燒杯，量杯和適用于酸和溶劑的涂塑懾子等。試樣制備如試樣表面潔凈，符合測(cè)試條件可直接測(cè)試，否則，按下列步驟清洗試樣后測(cè)試∶試樣在585中源洗1min。如必要，在585中多次源洗，直到被干燥的試樣無污跡為止。將試樣干燥。 放入氫氟酸中清洗1 min。 用純水洗凈。 用585源洗干凈， 用氮?dú)獯蹈伞?/p>

測(cè)量條件和步驟整個(gè)測(cè)試過程應(yīng)在無光照，無離頻和無振動(dòng)下進(jìn)行。

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上，試樣放置的時(shí)間應(yīng)足夠長，達(dá)到熱平衡時(shí)，試樣溫度為23 ℃±1℃.

對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為 100 μm~250 μm的半球形探針或針尖率徑為50 μm～125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 N~0.8Ni對(duì)于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為 35 μm~100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于0.3 N.

將操針下降到試樣表面測(cè)試，使四探行針高等陣列的中心落在試樣中心1.00mm范圍內(nèi)。 

接通電流，令其任一方向?yàn)檎�向，調(diào)節(jié)電流大小見表1所給出的某一合適值，測(cè)量并記錄所得數(shù)據(jù)。所有測(cè)試數(shù)據(jù)至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。 改變電流方向，測(cè)量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電流，搶起探針裝置，對(duì)仲裁測(cè)量，探針間距為1.59 mm，將樣品分別旋轉(zhuǎn)30°±5，重復(fù)8.4～~8.7的測(cè)量步驟，測(cè)5組數(shù)據(jù)，測(cè)量結(jié)果計(jì)算

試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包括以下內(nèi)容∶試樣編號(hào); 試樣種類; 試樣薄層厚度;測(cè)試電流; 測(cè)試溫度;試樣薄層電阻; 本標(biāo)準(zhǔn)編號(hào); h） 測(cè)量、測(cè)量者和測(cè)量日期。

對(duì)仲裁測(cè)量，報(bào)告還應(yīng)包括對(duì)探針狀況、電測(cè)裝置的精度、所測(cè)原始數(shù)據(jù)及處理結(jié)果。

電壓擊穿測(cè)試儀，體積表面電阻率測(cè)試儀，介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀，漏電起痕試驗(yàn)儀，耐電弧試驗(yàn)儀，TOC總有機(jī)碳分析儀，完整性測(cè)試儀，無轉(zhuǎn)子硫化儀，門尼粘度試驗(yàn)機(jī)，熱變形維卡溫度測(cè)定儀，簡(jiǎn)支梁沖擊試驗(yàn)機(jī)，毛細(xì)管流變儀，橡膠塑料滑動(dòng)摩擦試驗(yàn)機(jī)，氧指數(shù)測(cè)定儀，水平垂直燃燒試驗(yàn)機(jī)，熔體流動(dòng)速率測(cè)定儀，低溫脆性測(cè)試儀，拉力試驗(yàn)機(jī)，海綿泡沫壓陷硬度測(cè)試儀，海綿泡沫落球回彈測(cè)試儀，海綿泡沫壓縮永九變形試驗(yàn)儀