產(chǎn)品描述
產(chǎn)品介紹
pecvd滿足半導體集成電路,電力電子器件,光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積si o2、si 3n4、poly-si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝。
pecvd系統(tǒng)性能特點:
結(jié)構(gòu)形式:1—4管臥式熱壁型
硅片規(guī)格:2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
溫度范圍:300~1100℃
恒溫區(qū)長度及精度:200mm—1000mm(±1℃/24h)
淀積薄膜均勻性: 片內(nèi)±5% 片間±5% 批間±5%
沉積膜厚度:600~1 5000a
系統(tǒng)極限真空度:優(yōu)于1pa
工作壓力范圍:20~133pa閉環(huán)控制
控制方式:工業(yè)微機
送料裝置:懸臂推拉舟、軟著陸系統(tǒng)
淀積薄膜分類:si 3n4、si02、psg、pply-si膜
真空泵:羅茨泵、機械泵
工藝氣路:5路氣/管。vcr接口
40kfiz脈寬調(diào)制ae高頻電源
裝片量:200片/舟
